3、巨(ju)磁(ci)阻(zu)(zu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器巨(ju)磁(ci)阻(zu)(zu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器是(shi)基于(yu)GMR（GiantMegnetoResistant）效應(ying)來進行(xing)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)測量(liang)的(de)(de)(de)，即通過電(dian)(dian)阻(zu)(zu)隨磁(ci)場變化(hua)來測量(liang)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)。GMR電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器具有小體積、高(gao)(gao)精度(du)、高(gao)(gao)靈(ling)敏度(du)、寬測量(liang)范圍、低(di)成本和高(gao)(gao)集(ji)成度(du)以(yi)及能夠測量(liang)交(jiao)直流(liu)(liu)(liu)等優點，因(yin)此應(ying)用(yong)(yong)在(zai)許多領域中。然而，由于(yu)巨(ju)磁(ci)阻(zu)(zu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器受(shou)自身磁(ci)性(xing)材料特點的(de)(de)(de)限(xian)制，對外界(jie)磁(ci)場以(yi)及溫(wen)度(du)的(de)(de)(de)變化(hua)較為敏感(gan)(gan)，易(yi)受(shou)周圍環境雜散磁(ci)場的(de)(de)(de)影響(xiang)，從而導致(zhi)較大的(de)(de)(de)輸出(chu)誤差(cha)，降低(di)測量(liang)結果的(de)(de)(de)準確度(du),不適合(he)用(yong)(yong)于(yu)復雜環境下的(de)(de)(de)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)的(de)(de)(de)檢測。在(zai)電(dian)(dian)力系統(tong)中，磁(ci)通門電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器可以(yi)用(yong)(yong)于(yu)測量(liang)電(dian)(dian)網(wang)中的(de)(de)(de)交(jiao)流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)，以(yi)監控電(dian)(dian)力系統(tong)的(de)(de)(de)運(yun)行(xing)狀態和電(dian)(dian)力質量(liang)。北京漏電(dian)(dian)保護電(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)器單價

誤差(cha)控(kong)制電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)由PI環(huan)(huan)節(jie)構成(cheng)(cheng)，其(qi)直(zhi)流(liu)開環(huan)(huan)增益(yi)越大(da)(da)(da)(da)越好，同時要求所(suo)選擇(ze)運(yun)算放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)器失調電(dian)(dian)壓(ya)小，單(dan)位(wei)增益(yi)帶(dai)寬大(da)(da)(da)(da)，選用OP27G高精密運(yun)放(fang)(fang)(fang)(fang)。誤差(cha)控(kong)制電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)輸(shu)(shu)出(chu)直(zhi)接連(lian)接PA功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)，以驅動(dong)其(qi)輸(shu)(shu)出(chu)反饋(kui)電(dian)(dian)流(liu)IF。常(chang)見的(de)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)包括集成(cheng)(cheng)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)以及三(san)極管(guan)(guan)(guan)等(deng)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)器件搭建的(de)A類(lei)(lei)，B類(lei)(lei)，AB類(lei)(lei)，D類(lei)(lei)，H類(lei)(lei)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)[9,50]。在基(ji)于磁(ci)通(tong)門(men)原(yuan)理的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)(dian)流(liu)測(ce)量的(de)類(lei)(lei)似方案中，為了通(tong)過降低功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)的(de)功(gong)(gong)(gong)(gong)耗以改善整個系統(tong)的(de)運(yun)行功(gong)(gong)(gong)(gong)耗，D類(lei)(lei)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)，H類(lei)(lei)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)常(chang)有出(chu)現，但(dan)該類(lei)(lei)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)輸(shu)(shu)出(chu)紋波較大(da)(da)(da)(da)，因(yin)此對反饋(kui)電(dian)(dian)流(liu)中交直(zhi)流(liu)測(ce)量帶(dai)來誤差(cha)。為了減(jian)小功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)環(huan)(huan)節(jie)的(de)輸(shu)(shu)出(chu)紋波，本(ben)文選擇(ze)了傳(chuan)統(tong)AB類(lei)(lei)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)放(fang)(fang)(fang)(fang)大(da)(da)(da)(da)電(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)，其(qi)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)器件選擇(ze)TI德州儀(yi)器旗下的(de)TIP110，TIP117，兩者器件參數一致，為互補對稱的(de)大(da)(da)(da)(da)功(gong)(gong)(gong)(gong)率(lv)(lv)(lv)達靈(ling)頓管(guan)(guan)(guan)，其(qi)大(da)(da)(da)(da)輸(shu)(shu)出(chu)交流(liu)可(ke)達2A。濟(ji)南萊姆電(dian)(dian)流(liu)傳(chuan)感(gan)器案例根據(ju)磁(ci)芯不同的(de)結構，平行型(xing)(xing)磁(ci)通(tong)門(men)傳(chuan)感(gan)器可(ke)分為單(dan)棒型(xing)(xing)、雙(shuang)棒型(xing)(xing)、管(guan)(guan)(guan)型(xing)(xing)、環(huan)(huan)型(xing)(xing)。

巨磁(ci)(ci)(ci)阻（GMR）效(xiao)應(ying)在(zai)微小磁(ci)(ci)(ci)場測(ce)(ce)量領域實(shi)現了創新(xin)性(xing)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)改變，尤其在(zai)利用(yong)渦(wo)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)進(jin)行無(wu)損檢(jian)測(ce)(ce)方面(mian)(mian)取(qu)得(de)了很大的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)進(jin)展。巨磁(ci)(ci)(ci)阻傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)具有低功(gong)耗(hao)、尺(chi)寸小、高(gao)(gao)靈(ling)敏度(du)以及頻率與靈(ling)敏度(du)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)不(bu)相關(guan)性(xing)等特(te)點；同霍(huo)爾傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)相同，巨磁(ci)(ci)(ci)阻芯片是(shi)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)主要組成部分，一(yi)(yi)般也容易受到(dao)環(huan)境(jing)中磁(ci)(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)干擾，不(bu)適(shi)用(yong)于(yu)電(dian)(dian)(dian)磁(ci)(ci)(ci)環(huan)境(jing)復(fu)(fu)雜的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)環(huan)境(jing)，對(dui)復(fu)(fu)雜波形(xing)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)也不(bu)能(neng)做出(chu)準確的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)檢(jian)測(ce)(ce)。磁(ci)(ci)(ci)通(tong)(tong)門傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)(Fluxgatecurrentsensor)，一(yi)(yi)開(kai)始主要用(yong)于(yu)弱磁(ci)(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)檢(jian)測(ce)(ce)，比如地(di)磁(ci)(ci)(ci)場檢(jian)測(ce)(ce)、鐵礦(kuang)石檢(jian)測(ce)(ce)、位移檢(jian)測(ce)(ce)和(he)(he)管道泄漏檢(jian)測(ce)(ce)等方面(mian)(mian)。隨著這種技術的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)發展，磁(ci)(ci)(ci)通(tong)(tong)-2-門傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)廣泛應(ying)用(yong)于(yu)太空探測(ce)(ce)和(he)(he)地(di)質(zhi)勘(kan)探中。磁(ci)(ci)(ci)通(tong)(tong)門電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)結構類似霍(huo)爾電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)，是(shi)基于(yu)檢(jian)測(ce)(ce)磁(ci)(ci)(ci)路的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)飽和(he)(he)特(te)性(xing)而設計的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)。磁(ci)(ci)(ci)通(tong)(tong)門電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)采用(yong)高(gao)(gao)磁(ci)(ci)(ci)導率的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)芯，通(tong)(tong)過磁(ci)(ci)(ci)芯的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)交替飽和(he)(he)，產生的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)感(gan)(gan)(gan)應(ying)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)和(he)(he)被測(ce)(ce)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)之間存(cun)在(zai)著一(yi)(yi)定的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)數量關(guan)系，從而可以得(de)到(dao)被測(ce)(ce)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)。它實(shi)際上檢(jian)測(ce)(ce)磁(ci)(ci)(ci)場的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)變化(hua)，通(tong)(tong)過磁(ci)(ci)(ci)與電(dian)(dian)(dian)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)聯系來得(de)到(dao)被測(ce)(ce)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)。近幾年，隨著軟磁(ci)(ci)(ci)材料(liao)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)發展和(he)(he)電(dian)(dian)(dian)子元(yuan)器(qi)(qi)(qi)件的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)革新(xin)，磁(ci)(ci)(ci)通(tong)(tong)門電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)性(xing)能(neng)不(bu)斷(duan)提高(gao)(gao)，其應(ying)用(yong)范圍(wei)不(bu)斷(duan)擴大，受到(dao)越(yue)來越(yue)多的(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)(de)關(guan)注。

IC為穩(wen)態(tai)(tai)充(chong)電(dian)電(dian)流，即在(zai)理想情(qing)況下t=∞時(shi)刻(ke)，通過激磁(ci)(ci)電(dian)感(gan)中(zhong)的穩(wen)態(tai)(tai)充(chong)電(dian)電(dian)流滿足(zu)IC=Vout/Rsum。τ1為鐵(tie)芯(xin)C1回路放放電(dian)時(shi)間常數，τ1=l/Rsum。在(zai)t1時(shi)刻(ke)，鐵(tie)芯(xin)C1工作點將由負(fu)向(xiang)飽和區C進(jin)入線(xian)性區A，此時(shi)激磁(ci)(ci)電(dian)流iex降低至負(fu)向(xiang)飽和閾值電(dian)流I-th1，其(qi)滿足(zu)Ip=-Ip1，I-th1=I-th-βIp。可(ke)得t1時(shi)刻(ke)激磁(ci)(ci)電(dian)流終(zhong)值iex(t1)滿足(zu)：iex(t1)=一(yi)I-th1=一(yi)Ith+βIp1其(qi)中(zhong)β=Np/N1，βIp1可(ke)以將理解(jie)為，一(yi)次電(dian)流在(zai)鐵(tie)芯(xin)C1中(zhong)產生的磁(ci)(ci)勢折算到激磁(ci)(ci)繞組W1側的磁(ci)(ci)勢大(da)小。磁(ci)(ci)通門電(dian)流傳(chuan)感(gan)器也可(ke)以用于(yu)測(ce)量脈沖(chong)電(dian)流，監測(ce)和控制(zhi)脈沖(chong)電(dian)流的狀態(tai)(tai)。

根據(ju)(ju)前述假設，Im<<IC且(qie)在(zai)線(xian)(xian)性區A激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)感L遠大(da)于飽和(he)區B、C激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)感l，因此(ci)τ2>>τ1，因此(ci)式(shi)（2－31）進一(yi)(yi)(yi)步化(hua)簡得：T=TP+TN=(IC一(yi)(yi)(yi)4Ith(I)th(β(IC)Ip(一(yi)(yi)(yi))I(h)(τ2Ith(一(yi)(yi)(yi))Ip1)（2－32）根據(ju)(ju)式(shi)（2－27）（2－30）（2－32）可(ke)求得激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)信號Vex在(zai)一(yi)(yi)(yi)個(ge)周(zhou)波內平均(jun)(jun)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)Vav滿足(zu)(zu)：Vav=Vout=ICβ一(yi)(yi)(yi)II(p1)thVout（2－33）根據(ju)(ju)前述假設Ith<<IC可(ke)進一(yi)(yi)(yi)步對(dui)式(shi)（2-33）分母(mu)進行(xing)化(hua)簡，帶入下(xia)列表達式(shi)IC=Vout/Rsum，β=Np/N1，iex=Vout/(RC+RS)及Rsum=RC+RS可(ke)進一(yi)(yi)(yi)步得激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)平均(jun)(jun)值(zhi)iav滿足(zu)(zu)：iav=一(yi)(yi)(yi)（2－34）式(shi)（2－34）即(ji)為平均(jun)(jun)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)模(mo)型(xing)基于磁(ci)化(hua)曲線(xian)(xian)的分段線(xian)(xian)性化(hua)模(mo)型(xing)所得激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)與一(yi)(yi)(yi)次電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)之間的定量關系式(shi)，即(ji)自激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)磁(ci)通(tong)門(men)(men)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)平均(jun)(jun)值(zhi)與一(yi)(yi)(yi)次電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)之間呈線(xian)(xian)性比(bi)例關系，且(qie)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)平均(jun)(jun)值(zhi)正負與一(yi)(yi)(yi)次電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)方向(xiang)相關。自激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)磁(ci)通(tong)門(men)(men)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)可(ke)以識別電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)方向(xiang)且(qie)激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)磁(ci)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)平均(jun)(jun)值(zhi)與一(yi)(yi)(yi)次電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)量值(zhi)線(xian)(xian)性相關，這便為自激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)磁(ci)通(tong)門(men)(men)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)測(ce)量交流(liu)(liu)(liu)(liu)及交直(zhi)流(liu)(liu)(liu)(liu)提供(gong)了(le)理(li)論上(shang)的可(ke)行(xing)性，現對(dui)IP為交直(zhi)流(liu)(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)時(shi)，自激(ji)(ji)(ji)(ji)(ji)振(zhen)(zhen)蕩(dang)(dang)(dang)磁(ci)通(tong)門(men)(men)電(dian)(dian)(dian)路(lu)(lu)(lu)測(ce)量原(yuan)理(li)進行(xing)分析。電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)的變化(hua)：霍爾電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳感器(qi)的內部電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)值(zhi)可(ke)能會受到溫(wen)度、濕度、機械應力和(he)時(shi)間等因素的影響而發(fa)生(sheng)變化(hua)。無錫化(hua)成分容電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)(liu)傳感器(qi)價(jia)格大(da)全(quan)

抗電磁干擾：由于磁通門(men)傳(chuan)感器是(shi)通過測量(liang)磁通量(liang)來間接測量(liang)電流(liu)的(de)，因此它可以(yi)抵抗電磁干擾的(de)影響(xiang)。北京(jing)漏電保護電流(liu)傳(chuan)感器單價

電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)技(ji)術(shu)(shu)方案差異分(fen)析隨著電(dian)(dian)(dian)力電(dian)(dian)(dian)子技(ji)術(shu)(shu)應用的(de)(de)逐步(bu)發(fa)展，人們對電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)性能(neng)提出了更(geng)高的(de)(de)要求，所以電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)迅速發(fa)展起來。為(wei)了滿足電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)在(zai)(zai)不同領(ling)域中的(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)需求，產(chan)業(ye)界開發(fa)出了各(ge)種(zhong)類型電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)，如霍爾電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)、羅氏線(xian)圈(quan)、巨磁阻電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)、電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)互(hu)感(gan)(gan)(gan)器(qi)、分(fen)流(liu)(liu)(liu)電(dian)(dian)(dian)阻以及磁通門(men)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)等。小編在(zai)(zai)7月份在(zai)(zai)無錫(xi)納吉(ji)伏(fu)公司(si)的(de)(de)網站(zhan)上(shang)對這些不同電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)的(de)(de)技(ji)術(shu)(shu)路線(xian)差異進行(xing)了初步(bu)分(fen)析分(fen)析，下面詳細介紹上(shang)述幾種(zhong)常見的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)器(qi)。

霍爾(er)效應(ying)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)是(shi)基于霍爾(er)效應(ying)的(de)磁(ci)場傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)。它(ta)是(shi)一種隔離的(de)非(fei)侵入式設 備，可同時應(ying)用(yong)于直(zhi)流(liu)(liu)和(he)(he)(he)交流(liu)(liu)電流(liu)(liu)檢測，通常(chang)高達(da)數百千赫茲。由于其(qi)簡(jian)單(dan)的(de)結構(gou)，與微電子器(qi)(qi)(qi)件的(de)兼容性，霍爾(er)器(qi)(qi)(qi)件可以(yi)單(dan)片(pian)集成到完全集成的(de)磁(ci)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)中。霍爾(er)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)可以(yi)使用(yong)常(chang)規的(de)CMOS技術制造。但(dan)是(shi)，它(ta)通常(chang)比(bi)電流(liu)(liu)互感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)或Rogowski傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)昂貴。盡管霍爾(er)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)可以(yi)測量直(zhi)流(liu)(liu)電流(liu)(liu)，但(dan)由于鐵芯(xin)飽(bao)和(he)(he)(he)，霍爾(er)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)通常(chang)具有有限(xian)的(de)峰值電流(liu)(liu)，并且(qie)具有有限(xian)的(de)帶(dai)寬(kuan)（<1MHz）。另外，它(ta)對外部磁(ci)場非(fei)常(chang)敏感(gan)(gan)(gan)(gan)，霍爾(er)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)的(de)溫度(du)穩定性和(he)(he)(he)時間穩定性非(fei)常(chang)不(bu)好。霍爾(er)效應(ying)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)主要在閉環模式下工作，以(yi)實(shi)現更高的(de)精(jing)度(du)和(he)(he)(he)更寬(kuan)的(de)動(dong)態范圍。北京漏(lou)電保護電流(liu)(liu)傳(chuan)(chuan)(chuan)感(gan)(gan)(gan)(gan)器(qi)(qi)(qi)單(dan)價

本文來自同力金盛制冷設備(bei)有限公司：//sxwsj.com.cn/Article/1a8699912.html