基于(yu)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)單峰(feng)(feng)值波長(chang)(chang)(chang)移(yi)動的(de)(de)(de)(de)鍺(zang)(zang)(zang)膜(mo)厚(hou)度(du)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)方案(an)研(yan)究：在(zai)對(dui)(dui)比研(yan)究目前常用的(de)(de)(de)(de)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干涉(she)(she)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)方案(an)的(de)(de)(de)(de)基礎上(shang)，我們發現當兩(liang)干涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)束的(de)(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差(cha)非常小(xiao)導致其干涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)只有(you)一(yi)個干涉(she)(she)峰(feng)(feng)時，常用的(de)(de)(de)(de)基于(yu)兩(liang)相鄰干涉(she)(she)峰(feng)(feng)間距(ju)的(de)(de)(de)(de)解調方案(an)不再適(shi)用。為此，我們提(ti)出了(le)適(shi)用于(yu)極小(xiao)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差(cha)的(de)(de)(de)(de)基于(yu)干涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)單峰(feng)(feng)值波長(chang)(chang)(chang)移(yi)動的(de)(de)(de)(de)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)方案(an)。干涉(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)譜(pu)的(de)(de)(de)(de)峰(feng)(feng)值波長(chang)(chang)(chang)會(hui)隨著光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差(cha)的(de)(de)(de)(de)增大出現周期性(xing)的(de)(de)(de)(de)紅(hong)移(yi)和(he)(he)藍(lan)移(yi)，當光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差(cha)在(zai)較小(xiao)范圍內變化時，峰(feng)(feng)值波長(chang)(chang)(chang)的(de)(de)(de)(de)移(yi)動與(yu)(yu)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)程差(cha)成正比。根據這(zhe)一(yi)原理，搭建了(le)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干涉(she)(she)溫度(du)傳感系統對(dui)(dui)這(zhe)一(yi)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)解調方案(an)進行驗證，得到了(le)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)纖端面半導體鍺(zang)(zang)(zang)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)。實驗結果顯示鍺(zang)(zang)(zang)膜(mo)的(de)(de)(de)(de)厚(hou)度(du)為，與(yu)(yu)臺(tai)階(jie)儀測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)結果存在(zai)，這(zhe)是因為薄膜(mo)表面本身并不光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)滑，臺(tai)階(jie)儀的(de)(de)(de)(de)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)結果只能(neng)作為參考值。鍺(zang)(zang)(zang)膜(mo)厚(hou)度(du)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)誤(wu)(wu)差(cha)主要(yao)來自(zi)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)源的(de)(de)(de)(de)波長(chang)(chang)(chang)漂(piao)移(yi)和(he)(he)溫度(du)控制誤(wu)(wu)差(cha)。白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)(guang)干涉(she)(she)膜(mo)厚(hou)測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)技術可(ke)以實現對(dui)(dui)薄膜(mo)的(de)(de)(de)(de)在(zai)線檢測(ce)(ce)(ce)(ce)(ce)和(he)(he)控制。高精度(du)膜(mo)厚(hou)儀銷售(shou)價格(ge)

開展白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)理論分析，在此(ci)基(ji)礎詳細介(jie)紹(shao)了(le)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)垂(chui)直(zhi)掃描(miao)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)技(ji)術和(he)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)技(ji)術的(de)(de)基(ji)本原理，完成(cheng)了(le)應用于靶(ba)丸(wan)(wan)殼層(ceng)折射(she)(she)率和(he)厚(hou)(hou)度分布測(ce)量(liang)(liang)實驗(yan)裝置(zhi)的(de)(de)設計及(ji)搭建。該實驗(yan)裝置(zhi)主要(yao)由(you)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)探(tan)測(ce)模塊、靶(ba)丸(wan)(wan)吸附轉(zhuan)(zhuan)位模塊、三維運(yun)動模塊、氣浮隔(ge)震平臺(tai)等幾部分組(zu)成(cheng)，可實現(xian)靶(ba)丸(wan)(wan)的(de)(de)負(fu)壓吸附、靶(ba)丸(wan)(wan)位置(zhi)的(de)(de)精密調(diao)整以及(ji)靶(ba)丸(wan)(wan)360°范圍(wei)的(de)(de)旋轉(zhuan)(zhuan)及(ji)特定角度下靶(ba)丸(wan)(wan)殼層(ceng)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)的(de)(de)測(ce)量(liang)(liang)。基(ji)于白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)垂(chui)直(zhi)掃描(miao)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)和(he)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)的(de)(de)基(ji)本原理,建立了(le)二者聯(lian)用的(de)(de)靶(ba)丸(wan)(wan)殼層(ceng)折射(she)(she)率測(ce)量(liang)(liang)方法(fa)，該方法(fa)利用白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)反(fan)射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)譜(pu)測(ce)量(liang)(liang)靶(ba)丸(wan)(wan)殼層(ceng)光(guang)(guang)(guang)學厚(hou)(hou)度，利用白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)垂(chui)直(zhi)掃描(miao)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)技(ji)術測(ce)量(liang)(liang)光(guang)(guang)(guang)線通(tong)過靶(ba)丸(wan)(wan)殼層(ceng)后的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)程增量(liang)(liang)，二者聯(lian)立即可求得靶(ba)丸(wan)(wan)折射(she)(she)率和(he)厚(hou)(hou)度數(shu)據。湖(hu)南防水膜厚(hou)(hou)儀(yi)白(bai)(bai)光(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)(gan)(gan)涉(she)(she)(she)膜厚(hou)(hou)測(ce)量(liang)(liang)技(ji)術可以實現(xian)對薄膜的(de)(de)快速(su)測(ce)量(liang)(liang)和(he)分析。

確定靶丸折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)及(ji)厚度的(de)(de)(de)(de)算法(fa)(fa)，由于干(gan)涉光譜信(xin)號與膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)光參(can)量直(zhi)接相關，這里主(zhu)要(yao)考(kao)慮(lv)光譜分(fen)析(xi)的(de)(de)(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)根(gen)(gen)據測量膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)反射(she)(she)或透射(she)(she)光譜進行(xing)分(fen)析(xi)計算，可獲得(de)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)厚度、折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)等參(can)數(shu)。根(gen)(gen)據光譜信(xin)號分(fen)析(xi)計算膜(mo)(mo)折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)及(ji)厚度的(de)(de)(de)(de)方(fang)法(fa)(fa)主(zhu)要(yao)有極值法(fa)(fa)和包絡法(fa)(fa)、全光譜擬合(he)法(fa)(fa)。極值法(fa)(fa)測量膜(mo)(mo)厚度主(zhu)要(yao)是根(gen)(gen)據薄(bo)膜(mo)(mo)反射(she)(she)或透射(she)(she)光譜曲(qu)線上(shang)的(de)(de)(de)(de)波(bo)峰(feng)的(de)(de)(de)(de)位置來計算，對(dui)于弱色散(san)介質，折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)為恒定值，根(gen)(gen)據兩(liang)個或兩(liang)個以上(shang)的(de)(de)(de)(de)極大(da)值點的(de)(de)(de)(de)位置，求得(de)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)光學厚度，若(ruo)已知(zhi)膜(mo)(mo)折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)即可求解(jie)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)厚度；對(dui)于強色散(san)介質，首先(xian)利用(yong)極值點求出(chu)膜(mo)(mo)厚度的(de)(de)(de)(de)初始值。薄(bo)膜(mo)(mo)厚度是一恒定不(bu)變值，可根(gen)(gen)據極大(da)值點位置的(de)(de)(de)(de)光學厚度關系(xi)(xi)式獲得(de)入射(she)(she)波(bo)長(chang)和折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)的(de)(de)(de)(de)對(dui)應(ying)關系(xi)(xi)，再(zai)依據薄(bo)膜(mo)(mo)材質的(de)(de)(de)(de)色散(san)特性，引(yin)入合(he)適的(de)(de)(de)(de)色散(san)模型(xing)(xing)(xing)，常用(yong)的(de)(de)(de)(de)色散(san)模型(xing)(xing)(xing)有cauchy模型(xing)(xing)(xing)、Selimeier模型(xing)(xing)(xing)、Lorenz模型(xing)(xing)(xing)等，利用(yong)折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)與入射(she)(she)波(bo)長(chang)的(de)(de)(de)(de)關系(xi)(xi)式，通過二(er)乘法(fa)(fa)擬合(he)得(de)到色散(san)模型(xing)(xing)(xing)的(de)(de)(de)(de)系(xi)(xi)數(shu)，即可解(jie)得(de)任意入射(she)(she)波(bo)長(chang)下的(de)(de)(de)(de)折(zhe)(zhe)(zhe)射(she)(she)率(lv)(lv)(lv)。

目前，應用(yong)的顯(xian)微(wei)(wei)(wei)干(gan)(gan)涉(she)方式主要有(you)Mirau顯(xian)微(wei)(wei)(wei)干(gan)(gan)涉(she)和(he)(he)Michelson顯(xian)微(wei)(wei)(wei)干(gan)(gan)涉(she)兩張方式。如圖2-5(a)所(suo)示Mirau型顯(xian)微(wei)(wei)(wei)干(gan)(gan)涉(she)結構(gou)，在該結構(gou)中物(wu)鏡(jing)和(he)(he)被測(ce)樣品之(zhi)(zhi)間有(you)兩塊平(ping)板，一個是涂覆(fu)有(you)高反射膜(mo)(mo)的平(ping)板作(zuo)為參考鏡(jing)，另一塊涂覆(fu)半透半反射膜(mo)(mo)的平(ping)板作(zuo)為分光(guang)(guang)棱鏡(jing)，由于參考鏡(jing)位于物(wu)鏡(jing)和(he)(he)被測(ce)樣品之(zhi)(zhi)間，從而(er)使物(wu)鏡(jing)外殼更加(jia)緊湊，工作(zuo)距離相對(dui)而(er)言短一些，其倍率一般(ban)為10-50倍，Mirau顯(xian)微(wei)(wei)(wei)干(gan)(gan)涉(she)物(wu)鏡(jing)參考端使用(yong)與測(ce)量端相同顯(xian)微(wei)(wei)(wei)物(wu)鏡(jing)，因此沒有(you)額外的光(guang)(guang)程(cheng)差。白(bai)光(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)膜(mo)(mo)厚(hou)測(ce)量技(ji)術可(ke)以應用(yong)于半導體制造中的薄膜(mo)(mo)厚(hou)度控制。

干(gan)(gan)涉(she)法(fa)(fa)作為面(mian)掃描方式可以一次性對(dui)(dui)薄膜局域(yu)內的厚(hou)(hou)度進(jin)行解算，適用于對(dui)(dui)面(mian)型整(zheng)體(ti)形貌特征要求較高的測量(liang)(liang)對(dui)(dui)象。干(gan)(gan)涉(she)法(fa)(fa)算法(fa)(fa)在于相位信息(xi)的提取，借助多(duo)種(zhong)復(fu)合算法(fa)(fa)通常可以達到納米級的測量(liang)(liang)準(zhun)確度。然而主動干(gan)(gan)涉(she)法(fa)(fa)對(dui)(dui)條紋穩定(ding)性不佳，光學(xue)元件表面(mian)的不清(qing)潔(jie)、光照度不均勻、光源(yuan)不穩定(ding)、外界氣流(liu)震動干(gan)(gan)擾等因素均可能影(ying)(ying)響干(gan)(gan)涉(she)圖(tu)的完整(zheng)性[39]，使干(gan)(gan)涉(she)圖(tu)樣(yang)中包含噪聲和部分區域(yu)的陰影(ying)(ying)，給(gei)后期處理帶來困難。除此(ci)之外，干(gan)(gan)涉(she)法(fa)(fa)系(xi)統精(jing)度的來源(yuan)——精(jing)密(mi)移動及定(ding)位部件也(ye)增加了系(xi)統的成(cheng)本，高精(jing)度的干(gan)(gan)涉(she)儀往往較為昂貴。白光干(gan)(gan)涉(she)膜厚(hou)(hou)測量(liang)(liang)技(ji)術可以對(dui)(dui)薄膜的厚(hou)(hou)度、反射率、折射率等光學(xue)參(can)數進(jin)行測量(liang)(liang)。有哪些膜厚(hou)(hou)儀大概(gai)價(jia)格多(duo)少

白光干(gan)涉(she)(she)膜(mo)(mo)厚測量技術(shu)可以(yi)通過對干(gan)涉(she)(she)曲線(xian)的分析實現(xian)對薄膜(mo)(mo)的厚度測量。高精度膜(mo)(mo)厚儀銷(xiao)售(shou)價格

干(gan)(gan)涉(she)法(fa)與(yu)分(fen)光(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)度(du)法(fa)都是利用相(xiang)干(gan)(gan)光(guang)(guang)(guang)形成(cheng)等(deng)厚(hou)(hou)干(gan)(gan)涉(she)條紋(wen)的(de)原(yuan)理來確定薄膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)度(du)和(he)折(zhe)射率，然而與(yu)薄膜(mo)(mo)自發(fa)產生(sheng)的(de)等(deng)傾干(gan)(gan)涉(she)不(bu)同(tong)，干(gan)(gan)涉(she)法(fa)是通(tong)過設置參考光(guang)(guang)(guang)路，形成(cheng)與(yu)測(ce)量(liang)(liang)光(guang)(guang)(guang)路間(jian)(jian)的(de)干(gan)(gan)涉(she)條紋(wen)，因此其相(xiang)位信息包(bao)含(han)兩個部(bu)分(fen)，分(fen)別是由(you)(you)參考平(ping)面(mian)(mian)和(he)測(ce)量(liang)(liang)平(ping)面(mian)(mian)間(jian)(jian)掃描高(gao)度(du)引(yin)起的(de)附加相(xiang)位和(he)由(you)(you)透明薄膜(mo)(mo)內(nei)部(bu)多次(ci)反射引(yin)起的(de)膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)相(xiang)位。干(gan)(gan)涉(she)法(fa)測(ce)量(liang)(liang)光(guang)(guang)(guang)路使用面(mian)(mian)陣(zhen)CCD接收參考平(ping)面(mian)(mian)和(he)測(ce)量(liang)(liang)平(ping)面(mian)(mian)間(jian)(jian)相(xiang)干(gan)(gan)波面(mian)(mian)的(de)干(gan)(gan)涉(she)光(guang)(guang)(guang)強(qiang)分(fen)布，不(bu)同(tong)于(yu)以上三種點測(ce)量(liang)(liang)方式，可一(yi)次(ci)性生(sheng)成(cheng)薄膜(mo)(mo)待(dai)測(ce)區域的(de)表面(mian)(mian)形貌(mao)信息，但同(tong)時由(you)(you)于(yu)存在大量(liang)(liang)軸向掃描和(he)數(shu)據解算，完成(cheng)單次(ci)測(ce)量(liang)(liang)的(de)時間(jian)(jian)相(xiang)對較長。高(gao)精(jing)度(du)膜(mo)(mo)厚(hou)(hou)儀銷售價(jia)格

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